10年内突破2nm工艺瓶颈？ASML计划推出同类型EUV设备

挥该微影电子技术的效益：“EUV多重二维图大概4基体路由器应运而生3基体路由器、甚至3基体以下路由器的唯一方法有。”

ASML也看到投资者在小型化路由器发挥0.33NA EUV的设备来得大效益的紧致；Pieters指出：“我们认为未来0.33NA EUV还亦会被应用在接下来几个路由器，甚至在工业界所说的2基体以下路由器。”

Hosseini在研究分析报告之前声称，各家半导体器件商取名生产工艺路由器的方法有不尽相同，例如三星电子现阶段正在投产的5基体生产工艺升级版N5+，就相当于摩托罗拉投产之前的10基体Fin，两个生产工艺的器件通量都是每平方毫米1.75亿以上器件，联接长度小于30基体。

此外他也在分析报告之前指出，摩托罗拉是依靠十年前的显现出来样式微影电子技术实现该路由器的可靠性目标，而三星电子则已经是第二年引入EUV电子技术。

单一EUV供应来源

在EUV电子技术以及高NA值微影工具领域，ASML在短期内在未来的几年都亦会是世界唯一的提供商。Pieters 声称：“在可预见的未来，我们亦会是供应这类电子技术的唯一的公司。”

van Gogh则指出，从0.33NA叠加到0.55NA EUV，对曾一度在几年前从DUV微影叠加至EUV的集成放大器制造者商来说亦会来得精彩；ASML已经有一个调动生态系转变成，挤满了可提供光罩、光阻剂等电子技术的提供商。

不过ASML婉拒透露除了原先5家EUV引入者(摩托罗拉、三星电子、三星、海力士与三星电子)都是，前提亦会有来得多的公司交付小型化0.55NA手把。

ASML也声称，增加EUV的设备的量将有助于降低结构上占有效益；ASML现阶段的EUV的设备已经从每两星期可处理125片锂晶凸进步至170片晶凸，而小型化的设备将进一步达到每两星期200片晶凸的量。

“借此，我们试着在基本上提升每片晶凸的结构上占有效益；”Pieters声称：“我们试着维护那些控制系统的微影电子技术效益实际上亦会随着时间降低。”

对此Hosseini声称，晶凸量减少对于集成放大器制造者商来说非常重要，特别是在他们要开始引入多重二维图EUV的时候。他进一步指出，在高NA的设备开发计划的同时，4台可达到每两星期处理200片晶凸的EUV手把可满足多重二维图应用需求。

ASML看好全球半导体器件产业蓬勃发展前景，以及低价对微影电子技术的需求强度大幅增加。而在过去三年，ASML的的公司股价已经涨了三倍。

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